인천대학교 진성훈 교수 연구팀이 전원이 꺼져도 정보를 저장할 수 있는 차세대 비휘발성메모리의 집적도향상과 전력소모를 획기적으로 줄일 수 있는 기술을 개발하는 데 성공했다. 진교수 연구팀은 요오드구리(CuI) 저항성랜덤엑세스메모리 소자(RRAM)를 개발하고, 해당 소자의 광반응성을 활용해서 기존의 메모리의 집적도와 전력소모를 획기적으로 줄일 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다.  초저전력 데이터 저장 애플리케이션을 위해서 필수적으로 요구되는 메모리 집적도 향상을 위해서, 차세대 p형 반도체인 요오드구리(CuI)의 광반응성을 이용해 다중레벨특성을 가지는 비휘발성메모리를 구현했다. 해당 반도체는 CMOS 회로와 메모리를 동시에 구현할 수 있는 장점이 있기에, 프로세스-인-메모리(Process-in-memory: PIM)기술 응용에도 활용될 수 있을 것으로 기대된다.  출처 : 인천뉴스(http://www.incheonnews.com)